二氧化硅纳米球对硼酸源扩散形成p＋硅层性能的影响

作     者：杨楠楠 沈鸿烈 蒋晔 金磊 李金泽 吴文文 余双龙 杨艳 YANG Nannan;SHEN Honglie;JIANG Ye;JIN Lei;LI Jinze;WU Wenwen;YU Shuanglong;YANG Yan

作者机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室南京210016 

出 版 物：《材料导报》 (Materials Reports)

年 卷 期：2017年第31卷第12期

页      面：11-14页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金(61176062) 江苏省前瞻性联合研究项目(BY2016003-09) 江苏高校优势学科建设工程项目 

主　　题：硼扩散 SiO2纳米球 富硼层 均匀性 少子寿命 

摘      要：为了提高B扩散掺杂层的性能,提出了用含有二氧化硅纳米球的硼酸溶液作为硼源对硅片进行扩散的方法。采用扫描电子显微镜、四探针和少子寿命测试等技术研究了SiO_2纳米球对硼酸源扩散形成p^+硅层性能的影响。综合分析发现,与未添加SiO_2纳米球相比,扩散后生成的富硼层厚度明显减小,由130nm降低到15nm;同时,扩散的均匀性由88.17%提高到了96.79%。此外,添加SiO_2纳米球进行扩散后p-n结深有所减小,少数载流子寿命明显提高。研究结果表明,SiO_2纳米球可以显著提高液态硼源扩散掺杂形成p^+硅层的性能。