论基片平移对蒸发镀膜膜厚均匀性的改善
作者机构：浙江师范大学固态光电与器件省重点实验室
出 版 物：《中国高新区》 (Science & Technology Industry Parks)
年 卷 期：2017年第6期
页 面：106-106页
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：本文对比了蒸发镀膜过程中基片不移动和基片在正方形区域内做平移运动两种情形的膜厚均匀性特性。计算得出,对于基片不移动情形,基片中心在蒸发源正上方时,膜厚方差取最小值σ;,而基片做平移运动情形的膜厚方差σ;比σ;还要小。结果表明,基片做平移运动能获得更加好的膜厚均匀性。
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