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Si基GaN上的欧姆接触

Ohmic contacts on Si-substrated GaN

作     者:赵作明 江若琏 陈鹏 席冬娟 沈波 郑有炓 ZHAO Zuo-ming;JIANG Ruo-lian;CHEN Peng;XI dong-juan;SHEN Bo;ZHENG You-dou

作者机构:南京大学物理系南京210093 

出 版 物:《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期:2000年第6卷第4期

页      面:425-427页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

基  金:国家自然科学基金!资助项目 ( 699870 0 1 696360 10 6980 60 0 6) 

主  题:欧姆接触 硅基氮化镓 合金化 退火 热稳定性 

摘      要:研究了Si基GaN上的欧姆接触。对在不同的合金化条件下铝 (Al)和钛铝铂金(Ti Al Pt Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析。Al GaN在 45 0℃氮气气氛退火 3min取得最好的欧姆接触率 7.5× 1 0 3Ω·cm2 ,而Ti Al Pt Au GaN接触在 6 5 0℃氮气气氛退火 2 0s取得最好的欧姆接触 8.4× 1 0 5Ω·cm2 ,而且Ti Al Pt Au GaN接触有较好的热稳定性。

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