基于多重反馈环路技术的0.8～5.2GHz CMOS宽带LNA设计

作     者：万求真 吴潇婷 徐蒙 徐丹丹 WAN Qiuzhen WU Xiaoting XU Meng XU Dandan

作者机构：湖南师范大学物理与信息科学学院湖南长沙410081 

出 版 物：《湖南大学学报（自然科学版）》 (Journal of Hunan University:Natural Sciences)

年 卷 期：2017年第44卷第4期

页      面：124-130页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：湖南省自然科学基金资助项目(2016JJ6095) 湖南省教育厅科学研究项目(14B107) 湖南师范大学青年优秀人才培养项目(ET14102) 国家级大学生创新创业训练计划项目(201610542009)~~ 

主　　题：CMOS 射频集成电路 低噪声放大器 宽带 多重反馈环路技术 

摘      要：在传统共栅放大器结构基础上,基于0.18μm CMOS工艺,提出一种带多重反馈环路技术的0.8~5.2GHz宽带低噪声放大器(LNA).该电路采用的负反馈结构在改善噪声系数和输入阻抗匹配的同时并不需要消耗额外的功耗;采用的双重正反馈结构增加了输入级MOS管跨导设计的灵活性,并可通过输出负载阻抗反过来控制输入阻抗匹配,使得提出的LNA在宽频率范围内实现功率增益、输入阻抗与噪声系数的同时优化.后版图仿真结果显示,在0.8~5.2GHz频段内,该宽带LNA的功率增益范围为12.0~14.5dB,输入反射系数S_(11)为-8.0^-17.6dB,输出反射系数S_(22)为-10.0^-32.4dB,反向传输系数S12小于-45.6dB,噪声系数NF为3.7~4.1dB.在3GHz时的输入三阶交调点IIP3为-4.0dBm.芯片在1.5V电源电压下,消耗的功率仅为9.0mW,芯片总面积为0.7mm×0.8mm.