Ge组分分布对基区杂质非均匀分布的SiGe HBT温度特性的影响

作     者：张瑜洁 张万荣 金冬月 陈亮 付强 郭振杰 邢光辉 路志义 

作者机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2013年第62卷第3期

页      面：192-198页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60776051 61006059 61006049) 北京市自然科学基金(批准号:4082007) 北京市优秀跨世纪人才基金(批准号:67002013200301) 北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015 KM200910005001) 北京市属市管高等学校人才强教服务北京计划资助 

主　　题：SiGe异质结双极型晶体管 温度特性 基区杂质分布 Ge组分分布 

摘      要：众所周知,双极型晶体管的设计主要是基区的设计.一般而言,基区的杂质分布是非均匀的.本文首先研究了非均匀的杂质高斯分布对器件温度分布、增益和截止频率的温度特性的影响,发现增益和截止频率具有正温度系数,体内温度较高.随后研究了基区Ge组分分布对这些器件参数的影响.均匀Ge组分分布和梯形Ge组分分布的SiGe异质结双极型晶体管增益和截止频率具有负温度系数,具有较好的体内温度分布.进一步的研究表明,具有梯形Ge组分分布的SiGe异质结双极型晶体管,由于Ge组分缓变引入了少子加速电场,不但使它的增益和截止频率具有较高的值,而且保持了较弱的温度敏感性,在增益、特征频率大小及其温度敏感性、体内温度分布达到了很好的折中.