O/N替代掺杂对zigzag型硼氮窄纳米带能带及输运特性的影响

作     者：陈余行 张朝民 吴建宝 林琦 CHEN Yu-Hang;ZHANG Chao-Min;WU Jian-Bao;LIN Qi

作者机构：上海工程技术大学基础教学学院上海201620 

出 版 物：《物理化学学报》 (Acta Physico-Chimica Sinica)

年 卷 期：2012年第28卷第3期

页      面：567-572页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(11047164) 上海市高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金(gjd10023) 上海市教委学科建设项目(11XK11 2011X34)资助 

主　　题：硼氮纳米带 氧掺杂 能带结构 输运性质 负微分电阻 

摘      要：用第一性原理非平衡格林函数方法研究了O原子掺杂zigzag型硼氮窄纳米带(z-BNNNRs)的能带结构和电子输运特性.研究结果表明:O原子对N原子的替代掺杂使z-BNNNRs的能带结构出现明显变化,体系由半导体转变为金属;O掺杂明显地改变了z-BNNNRs体系的导电性能,在一定的偏压范围内产生明显的负微分电阻(NDR)现象,边缘掺杂比中间掺杂产生更大的负微分电导,进一步的输运性质计算给出的透射谱也印证了这一点.随着掺杂浓度的增加,负微分电导的极值也随之增大.