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3C-SiC(001)-(2×1)表面原子与电子结构研究

First-principles study on 3C-SiC(001)-(2×1)surface atomic structure and electronic structure

作     者:刘福 周继承 谭晓超 

作者机构:中南大学物理科学与技术学院长沙410083 

出 版 物:《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期:2009年第58卷第11期

页      面:7821-7825页

核心收录:

学科分类:0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基  金:国家自然科学基金(批准号:60371046) 湖南省科技重大专项资助的课题 

主  题:碳化硅 密度泛函理论计算 原子结构 电子结构 

摘      要:采用广义梯度近似的密度泛函理论方法计算了3C-SiC(001)-(2×1)表面的原子及电子结构.计算结果表明,3C-SiC(001)-(2×1)表面为非对称性的Si二聚体模型,其二聚体的Si原子间键长为0.232nm.电子结构的计算结果表明,在费米能级处有明显的态密度,因此3C-SiC(001)-(2×1)表面呈金属性.在带隙附近存在四个表面态带,一个位于费米能级附近,一个位于费米能级以上5eV处,另外两个位于费米能级以下的价带中.

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