MOS器件中热载流子效应有关电场的计算方法
A method for calculating the electronic fields in the hot carrier effects of MOSFET作者机构：西安电子科技大学微电子所
出 版 物：《西安电子科技大学学报》 (Journal of Xidian University)
年 卷 期：1998年第25卷第1期
页 面：32-35页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：采用线性近似的方法，对ＭＯＳ器件中的沟道水平加速电场及栅氧化层中的垂直电场进行了研究，给出了一种较精确的简便计算方法．在该电场模型的基础上，建立了整个热载流子效应的模型框架．
维普期刊数据库
同方期刊数据库