薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化

作     者：刘梦新 高勇 张新 王彩琳 杨媛 Liu Mengxin;Gao Yong;Zhang Xin;Wang Cailin;Yang Yuan

作者机构：西安理工大学自动化学院电子工程系西安710048 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2006年第27卷第6期

页      面：1120-1124页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：全耗尽 自加热效应 高温 瞬态特性 DSOI 互补金属-氧化物-半导体倒相器 

摘      要：在300～600K温度范围内,利用ISETCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOICMOS倒相器静态特性和瞬态特性,并提出了一种改进的AlN DSOI结构.结果显示,SOICMOS电路的阈值电压对温度较为敏感,随着温度的升高,输出特性衰退明显.瞬态模拟也表明电路的速度和功耗受外界环境温度的影响较大.改进后的AlN DSOI结构在有效缓解SOI结构热效应和浮体效应的基础上,显著提高了电路的速度和驱动能力.