低阈值单横模852nm半导体激光器

作     者：刘储 关宝璐 米国鑫 廖翌如 刘振扬 李建军 徐晨 Liu Chu;Guan Bao-Lu;Mi Guo-Xin;Liao Yi-Ru;Liu Zhen-Yang;Li Jian-Jun;Xu Chen

作者机构：北京工业大学信息学部电子科学与技术学院光电子技术省部共建教育部重点实验室北京100124 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2017年第66卷第8期

页      面：113-118页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0803[工学-光学工程] 0704[理学-天文学] 

基　　金：半导体激光器产业化技术基金(批准号:YXBGD20151JL01) 国家自然科学基金(批准号:61575008 60908012 61376049 61076044 61107026 61204011) 北京市自然科学基金(批准号:4172011 4132006 4102003 4112006) 北京市教育委员会基础技术研究基金(批准号:KM201210005004)资助的课题~~ 

主　　题：脊型波导边发射激光器 侧向模式 模式稳定性 

摘      要：基于波导理论、等效折射率方法,设计并制备了非对称波导隔离双沟结构脊型边发射激光器,最终获得了低闽值单基侧模852 nm激光器.详细研究了不同脊型台深宽比参数设计对激光器侧向模式特性的影响规律,实现了腔面未镀膜情况下脊型波导边发射激光器的单基侧模稳定输出,同时激射波长可以精确调谐到852 nm;工作电流达到150 mA,工作温度30℃;斜率效率最高可达0.89 nW/mA,光谱半宽小于1 nm.研究结果为进一步实现超窄线宽激光器提供了参考和借鉴,并且为实现激光器稳定输出提供了实验基础.