非晶ZnTiSnO薄膜的溶液燃烧法制备与TFT器件性能

作     者：冯丽莎 江庆军 叶志镇 吕建国 FENG Lisha JIANG Qingjun YE Zhizhen LU Jianguo

作者机构：浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验浙江杭州310027 

出 版 物：《材料科学与工程学报》 (Journal of Materials Science and Engineering)

年 卷 期：2017年第35卷第2期

页      面：177-180页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51372002) 

主　　题：溶液燃烧法 ZnTiSnO薄膜 非晶态 薄膜晶体管 

摘      要：本文采用溶液燃烧法,在较低温度下成功制备出非晶ZnTiSnO(ZTTO)薄膜,用作沟道层制备薄膜晶体管(TFT)。研究了Ti掺入对薄膜的结构、光学性能、元素化学态以及对TFT器件电学性能影响。研究结果表明,所制得的ZTTO薄膜均为非晶结构,可见光透过率大于84%;适量Ti的掺入可作为载流子抑制剂有效降低薄膜中的氧空位缺陷浓度,从而提升TFT器件性能。当Zn/Ti摩尔百分比为30/1时,ZTTO TFT性能良好,开关比可达3.54×10~5。