热氧化多孔硅制备及其干涉特性研究

作     者：黎学明 李春梅 杨文静 陈建文 LI Xue-ming;LI Chun-mei;YANG Wen-jing;CHEN Jian-wen

作者机构：重庆大学化学化工学院重庆400030 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2009年第40卷第2期

页      面：256-259页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070302[理学-分析化学] 0703[理学-化学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10476035) 

主　　题：多孔硅 反射光谱 热氧化 光学厚度 

摘      要：采用电化学阳极氧化法制备彩色薄层多孔硅，经高温热氧化处理后形成稳定的热氧化多孔硅。研究电化学制备条件对热氧化多孔硅的干涉效应和光学厚度的影响，分析热氧化处理前后多孔硅的稳定性。结果表明，在可见光波长范围内，所制备的热氧化多孔硅反射光谱出现一定规律性的干涉条纹，表现出明显的反射干涉现象；随阳极氧化时间、电流密度和HF浓度增大，热氧化多孔硅光学厚度呈增大趋势，当阳极氧化时间为30s、电流密度为520mA／cm^、v（HF）：v（C2H5OH）为2：1～5：2时，制备的热氧化多孔硅干涉条纹均匀且光学厚度较大；热氧化处理后，多孔硅结构中的Si-H。键被Si-O键所取代，其反射干涉特性非常稳定。