直流磁控溅射技术低温制备高电导和高透明的氢掺杂AZO薄膜
Influence of H_2 Flow-Rate on Conductivity Enhancement of Al-Doped ZnO Coatings作者机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室郑州450052
出 版 物：《真空科学与技术学报》 (Chinese Journal of Vacuum Science and Technology)
年 卷 期：2017年第37卷第2期
页 面：161-164页
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
基 金：国家高技术研究发展计划资助课题(批准号:2011AA050501)
摘 要：采用直流磁控溅射的方法制备掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜,通过溅射过程中加入氢气的方法来降低AZO薄膜的电阻率。结果表明:通过加入氢气的方法能有效降低AZO薄膜的电阻率;在衬底温度为225℃的低温条件下,通过优化其它沉积参数,制备了电阻率最低为4.5×10^(-4)Ω·cm、可见光区平均透光率在90%的优质AZO薄膜。这说明在溅射过程中引入一定流量的氢气,H可以起到掺杂作用,提高AZO薄膜的电导率。
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