预氧化聚碳硅烷先驱体转化法制备SiC陶瓷介电和吸波性能研究

作     者：史毅敏 罗发 丁冬海 周万城 朱冬梅 SHI Yimin;LUO Fa;DING Donghai;ZHOU Wancheng;ZHU Dongmei

作者机构：西北工业大学凝固技术国家重点实验室西安710072 西安建筑科技大学理学院西安710055 西安建筑科技大学材料与矿资学院西安710055 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2017年第48卷第2期

页      面：2153-2157页

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51502236) 陕西省自然科学基金资助项目(2014JM2-5066) 

主　　题：预氧化 聚碳硅烷 SiC陶瓷 复介电常数 吸波性能 

摘      要：通过聚碳硅烷(PCS)预氧化后在800~1 200℃热解制备了SiC陶瓷,采用傅里叶转化红外光谱(FTIR)与拉曼光谱分别对不同温度交联后PCS及裂解产物进行了表征。并用矩形波导法测试了SiC陶瓷在8.2~12.4GHz(X波段)频段的复介电常数,利用传输线理论计算了试样的反射率。结果表明,氧化交联过程中PCS通过Si—H键和Si—CH_3键与氧反应形成Si—OH键。SiC陶瓷中自由碳有序度随着热解温度的升高而增加,导致复介电常数实部及虚部增加。170℃交联,1 200℃热解,试样厚度为3.5 mm的SiC陶瓷,吸收峰值为-18dB,X全波段反射率低于-10dB,呈现出较好的吸波性能。