化学气相沉积法制备单层石墨烯的优化

作     者：毕瑞可 张杰 吴玉玲 曾毅波 张为中 郭航 

作者机构：厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院福建厦门361005 中国电信集团股份有限公司新疆分公司乌鲁木齐830011 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2017年第54卷第3期

页      面：181-187页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：厦门市科技项目(3502Z20143003) 

主　　题：石墨烯 化学气相沉积(CVD) 表征 单层 大面积 

摘      要：作为碳原子家族的最新成员,二维结构的石墨烯具备优异的物理化学性质和广阔的应用前景,成为新材料研究领域的热点研究对象。对化学气相沉积(CVD)法进行了优化,成功制备得到了高质量的单层石墨烯。优化后的实验工艺为:首先对铜箔进行化学抛光和退火预处理;然后将预处理后的铜箔加工成荷包状;氢气(H2)氛围下,以甲烷(CH4)为碳源,对石墨烯进行化学气相沉积;当甲烷和氢气体积流量分别为10 cm3/min和20 cm3/min时,在1 030℃条件下生长20 min制备得到最终样品。扫描电子显微镜(SEM)和激光喇曼光谱表征的结果显示:该方法制备的样品为大面积连续的单层石墨烯。