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Ce掺杂0.9Bi_4Ti_3O_(12)-0.1K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3铋层状压电陶瓷结构与性能研究(英文)

Microstructure and Electrical Properties of Cerium-Doped Bismuth-Layer 0.9Bi_4Ti_3O_(12)-0.1K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3 Piezoelectric Ceramics

作     者:涂娜 江向平 陈超 傅小龙 杨帆 Tu Na;Jiang Xiangping;Chen Chao;Fu Xiaolong;Yang Fan

作者机构:景德镇陶瓷学院江西省先进陶瓷材料重点实验室江西景德镇333001 

出 版 物:《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)

年 卷 期:2016年第45卷第2期

页      面:292-296页

核心收录:

学科分类:08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

基  金:National Natural Science Foundation of China(51262009,50162014) Natural Science Foundation of Jiangxi(20133ACB20002,20132BAB202002,20142BAB316009) Colleges and Universities "Advanced Ceramics" Scientific and Technological Innovation Team of Jiangxi Foundation of Jiangxi Provincial Department of Education(GJJ13630) 

主  题:铋层状 压电陶瓷 微观结构 Bi4Ti3O12 

摘      要:采用传统固相法制备了CeO_2掺杂0.9Bi_4Ti_3O_(12)-0.1K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3(BTO-KNN)铋层状陶瓷材料。系统研究了CeO_2掺杂对BTO-KNN基陶瓷物相结构、微观结构以及电性能的影响。结果表明:所有陶瓷样品均为单一的铋层状结构:BTO-KNN基陶瓷的压电性能随着CeO_2的掺杂而显著提高,损耗明显降低。当CeO_2掺量为0.75%(质量分数)时,样品具有最佳的电性能:d_(33)=28 pC/N,介电损耗tanδ=0.29%,机械品质因数Q_m=2897,剩余极化强度P_r=11.83μC/cm^2,且居里温度T_c高达615℃;研究结果表明CeO_2掺杂0.9Bi_4Ti_3O_(12)-0.1K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3铋层状陶瓷是一种潜在的高温陶瓷材料。

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