氮化感应致n-MOSFETsSi/SiO_2界面应力的研究
Study on Nitridation-Induced Residual Stress near Si/SiO_2 Interface in n MOSFETs作者机构：华中理工大学固体电子学系武汉430074 香港大学电机电子工程系
出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)
年 卷 期：2000年第28卷第2期
页 面：49-51页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：香港大学RGC和CRCG基金
摘 要：本文借助氩离子 (Ar+)背表面轰击技术研究不同氮化处理所导致的n MOSFETsSi/SiO2 界面附近剩余机械应力 .结果表明 :NH3氮化及N2 O生长的氧化物 硅界面附近均存在较大的剩余应力 ,前者来自过多的界面氮结合 ,后者来自因为初始加速生长阶段 .N2 O氮化的氧化物表现出小得多的剩余应力 。
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