AlGaN/GaN一维模型自洽求解和二维电子气特性研究
One-dimensional Self-consistent Numerical Model and Two-dimensional Electron Gases for AlGaN/GaN作者机构：清华大学微电子所北京100084
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：2005年第25卷第2期
页 面：172-176页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家重点基础研究专项基金(2002CB311907)资助
主 题：铝镓氮/氮化镓 泊松方程 薛定谔方程 自洽解 二维电子气
摘 要：实现了一维Poisson-Schrodinger方程的自洽求解,在此基础上求出了AlGaN/GaN异质结导带结构和二维电子气分布。计算结果表明极化效应是形成高浓度电子面密度的主要因素。研究了AlGaN/GaN系统中隔离层厚度对二维电子气浓度的影响,并对计算结果进行了分析。
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