不同掺杂砷化镓光电阴极光电发射性能分析

作     者：赵静 覃翠 刘伟伟 余辉龙 瞿文婷 常本康 张益军 Zhao Jing;Qin Cui;Liu Weiwei;Yu Huilong;Qu Wenting;Chang Benkang;Zhang Yijun

作者机构：南京工程学院通信工程学院江苏南京211167 南京理工大学电子工程与光电技术学院江苏南京210094 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：2016年第36卷第10期

页      面：229-235页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金重点项目(91433108) 国家自然科学基金青年科学基金(61301023) 江苏省南京工程学院引进人才科研启动基金(YKJ201323 YKJ201419) 

主　　题：光学器件 GaAs光电阴极 掺杂方式 量子效率拟合 电子扩散长度 积分灵敏度 

摘      要：采用分子束外延技术制备了具有相同的均匀掺杂或指数掺杂的反射式(r-mode)和透射式(t-mode)GaAs光电阴极样品。利用在线光谱响应测试系统测试了它们的光谱响应,并对实验曲线进行拟合,得到了电子扩散长度和积分灵敏度。结果表明,经工艺处理后的t-mode样品,在均匀掺杂情况下其电子扩散长度的减小量是指数掺杂情况的两倍,积分灵敏度的降低量后者比前者少3%,因此指数掺杂方式有利于降低组件制备工艺对阴极材料发射层的影响。