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指数掺杂透射式GaAs光电阴极表面光电压谱研究

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中国激光 2011年第9期38卷 138-142页

作者：陈亮钱芸生常本康张益军南京理工大学电子工程与光电技术学院江苏南京210094 中国计量学院光学与电子科技学院浙江杭州310018

通过求解一维稳态少数载流子扩散方程,推导了指数掺杂和均匀掺杂的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长了发射层厚度相同、掺杂结构不同的两款透射式阴极材料。通过表面光电压谱实验测试... 详细信息

通过求解一维稳态少数载流子扩散方程,推导了指数掺杂和均匀掺杂的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长了发射层厚度相同、掺杂结构不同的两款透射式阴极材料。通过表面光电压谱实验测试和理论拟合发现指数掺杂结构在发射层厚度和后界面复合速率相同的情况下能够有效提高阴极电子扩散长度,这主要由于内建电场能够促使光生电子通过扩散和电场漂移两种方式向表面运动,从而最终提升阴极的发射效率和表面光电压谱。利用能带计算公式和电子散射理论对这两种不同结构材料的表面光电压谱进行了详细分析。

关键词：光电子学 GaAs光电阴极表面光电压谱电子扩散长度

不同变掺杂结构GaAs光电阴极的光谱特性分析

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光谱学与光谱分析 2009年第11期29卷 3007-3010页

作者：牛军乔建良常本康杨智张益军南京理工大学电子工程与光电技术学院江苏南京210094 南阳理工学院电子与电气工程系河南南阳473004

为定量研究变掺杂结构对阴极量子效率的作用效果,设计生长了两种不同掺杂方式的反射式梯度掺杂GaAs光电阴极,激活后测量了两者的光谱响应曲线。将光谱响应曲线转换为对应的量子效率曲线,对不同入射光波段的量子效率进行了拟合分析,得到... 详细信息

为定量研究变掺杂结构对阴极量子效率的作用效果,设计生长了两种不同掺杂方式的反射式梯度掺杂GaAs光电阴极,激活后测量了两者的光谱响应曲线。将光谱响应曲线转换为对应的量子效率曲线,对不同入射光波段的量子效率进行了拟合分析,得到了体现变掺杂结构贡献程度的变掺杂系数K值。研究发现,同一阴极材料对不同波段的入射光,其掺杂结构产生的作用效果各不相同。同时,不同掺杂结构光电阴极对于相同波段范围内的入射光,其作用效果也不相同。产生这些差别的根本原因,是由于不同掺杂结构下,材料中内建电场的位置和强度不同而造成的。该研究为评判不同掺杂方式下光电阴极的结构性能提供了有效的分析手段,对研究阴极变掺杂结构的优化设计具有非常重要的应用价值。

关键词： GaAs光电阴极变掺杂内建电场量子效率

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半导体光电阴极的研究进展

红外技术 2022年第8期44卷 778-791页

作者：张益军南京理工大学电子工程与光电技术学院江苏南京210094

半导体光电阴极具有量子效率高、暗电流小的优点,被广泛应用于光电倍增管、像增强器等各类真空光电探测和成像器件,促进了极弱光的超快探测和成像技术的发展。另外作为能够产生高品质电子束的真空电子源,用于加速器光注入器、电子显微... 详细信息

半导体光电阴极具有量子效率高、暗电流小的优点,被广泛应用于光电倍增管、像增强器等各类真空光电探测和成像器件,促进了极弱光的超快探测和成像技术的发展。另外作为能够产生高品质电子束的真空电子源,用于加速器光注入器、电子显微镜等科学装置。本文首先介绍了目前常用半导体光电阴极的分类以及在真空光电探测成像、真空电子源领域的具体应用。然后对碱金属碲化物光电阴极、碱金属锑化物光电阴极、GaAs光电阴极三类典型半导体光电阴极的制备技术进行了总结,并介绍了微纳结构、低维材料、单晶外延等新技术在半导体光电阴极研制中的应用。最后对半导体光电阴极的技术发展进行了展望。

关键词：光电阴极碱金属碲化物碱金属锑化物 GaAs

Walecka模型中热介质里的介子屏蔽质量

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复旦学报（自然科学版） 1996年第1期35卷 25-30页

作者：苏汝铿张益军高嵩复旦大学物理学系上海 200433 复旦大学物理学系上海

根据热场动力学计算了Ｗａｌｅｃｋａ模型中σ、ω介子屏蔽质量的温度和密度依赖性。文章考察了真空涨落效应。结果发现真空涨落非常重要并且它将导致在热密介质中ω介子质量的减小以及σ分子质量的增加。

关键词：屏蔽质量真空涨落 Walecka模型热密介质介子

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阿联酋迪拜商务通

指数掺杂反射式GaAlAs和GaAs光电阴极比较研究

2008年

作者：张益军

本书是一本有关如何在阿联酋，特别是迪拜经商的指导书，主要讲述阿联酋及迪拜的相关经贸政策，以及如何在迪拜进行公司注册、清关、参加当地的展览、承揽工程、外派劳务等。

ISBN: (纸本)7806527634

关键词：商务阿拉伯联合酋长国概况

来源：汇雅图书（南通市图书馆... 评论

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汇雅图书（南通市图书馆）

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物理学报 2013年第3期62卷 348-353页

作者：陈鑫龙赵静常本康徐源张益军金睦淳郝广辉南京理工大学电子工程与光电技术学院南京210094

采用指数掺杂技术,通过金属有机化学气相沉积法外延生长了反射式GaAlAs和GaAs光电阴极,GaAlAs发射层的Al组分设计为0.63.在超高真空系统中分别对两种阴极进行激活实验,得到激活后的光谱响应曲线.利用指数掺杂反射式光电阴极量子效率公... 详细信息

采用指数掺杂技术,通过金属有机化学气相沉积法外延生长了反射式GaAlAs和GaAs光电阴极,GaAlAs发射层的Al组分设计为0.63.在超高真空系统中分别对两种阴极进行激活实验,得到激活后的光谱响应曲线.利用指数掺杂反射式光电阴极量子效率公式对实验曲线进行拟合并分析了电子漂移扩散长度、后界面复合速率、表面电子逸出几率等性能参数对光电发射性能的影响.结果表明,与GaAs光电阴极相比,GaAlAs光电阴极的Al组分虽然在一定程度上不利于光电发射,但是解决了GaAs光电阴极由于响应波段宽而不能很好地用于窄波段可见光探测领域的问题,制备出只对蓝绿光响应的反射式GaAlAs光电阴极.

关键词：指数掺杂反射式光电阴极量子效率

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GaAs真空电子源衰减模型研究

物理学报 2011年第1期60卷 722-727页

作者：邹继军张益军杨智常本康南京理工大学电子工程与光电技术学院南京210094 核技术应用教育部工程研究中心(东华理工大学) 南昌330013

利用X射线光电子能谱(XPS)仪对激活后的GaAs真空电子源进行了随时间衰减变化的XPS分析,分析发现了电子源阴极表面各元素百分含量随时间的变化,揭示了杂质气体吸附造成的偶极矩方向的改变是电子源灵敏度显著下降的主要原因.基于上述结论... 详细信息

利用X射线光电子能谱(XPS)仪对激活后的GaAs真空电子源进行了随时间衰减变化的XPS分析,分析发现了电子源阴极表面各元素百分含量随时间的变化,揭示了杂质气体吸附造成的偶极矩方向的改变是电子源灵敏度显著下降的主要原因.基于上述结论,通过分析真空系统中杂质气体的吸附过程,推导并得到了GaAs电子源衰减模型.该模型从理论上揭示了GaAs电子源的指数衰减规律以及寿命与真空度的反比关系,与实验现象完全一致.

关键词：电子源 X射线光电子能谱衰减模型真空度