在晶元级Si衬底上制备高深宽比SiO_2周期图形（英文）

作     者：戚永乐 张瑞英 仇伯仓 王逸群 王庶民 Qi Yongle Zhang Ruiying Qiu Bocang Wang Yiqun Wang Shumin

作者机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室苏州215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件及相关材料研究部苏州215123 中国科学技术大学纳米学院苏州215123 清华大学深圳研究院深圳518055 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台苏州215123 中国科学院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室上海200050 

出 版 物：《纳米技术与精密工程》 (Nanotechnology and Precision Engineering)

年 卷 期：2016年第14卷第6期

页      面：395-401页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 0804[工学-仪器科学与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0802[工学-机械工程] 0703[理学-化学] 0811[工学-控制科学与工程] 0801[工学-力学（可授工学、理学学位）] 

基　　金：funded by the National Natural Science Foundation(51202284) the Suzhou City Project(SYG201301) Jiangsu Project(BE2016083) State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences Key Laboratory of Nanodevices and Applications,Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics,Chinese Academy of Sciences 

主　　题：图形衬底 异质外延 高深宽比 

摘      要：本文主要介绍了通过步进式光刻、反相剥离和F基等离子体刻蚀工艺在晶元级Si衬底上制备SiO_2图形的过程,在6 in(15.24 cm)Si衬底上实现了均匀的周期分别为1.0μm和1.6μm、深宽比分别为2.3和1.4的SiO_2周期性掩膜.尤其在周期为1μm的条件下,窗口通过过曝光和反相剥离工艺减小到330 nm,该尺寸超越了试验用步进式光刻设备的极限精度尺寸.在通过HF和KOH溶液处理后,得到了带有V型槽和较光滑侧壁的SiO图形的Si衬底,该图形适用于Ⅲ-Ⅴ半导体通过深宽比位错捕获技术的材料生长.这种均匀的晶元级图案制备方案促进了图形化Si衬底技术和Si基Ⅲ-Ⅴ半导体异质外延.