高斯掺杂分布GaAs肖特基结的雪崩击穿电压
Avalanche Breakdown Voltage Calculation of GaAs Gaussian Profile Schottky Diodes作者机构：中国科学院上海冶金研究所
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))
年 卷 期：1982年第6期
页 面：482-492页
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：肖特基结 雪崩击穿 击穿电压 高斯 GaAs 掺杂分布
摘 要：由离子注入掺杂半绝缘GaAs 所得到的材料可视为生长在半绝缘衬底上的高斯分布层.高斯掺杂分布用峰值浓度、投影射程和标准偏离三个参量来表征.在DJS-130计算机上用数值方法计算了各种不同参量下的耗尽层宽度、最大电场和击穿电压,计算结果用图表示.计算证实,高斯掺杂分布GaAs 肖特基结的雪崩击穿行为,类似于具有不同程度的i层的p-i-n结构.
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