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MOS器件模型参数的萃取

作者：董克元

作者机构：半导体电子学研究室

出版物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年卷期：1983年第4期

页面：60-68页

主　　题：线性回归回归分析回归方程模型参数器件 MOS 表达式修止点对

摘要：按线性回归分析阐明了器件模型参数的萃取原理,例举了MOS器件一些参数的萃取过程,提供了参数萃取软件——PARAX程序。

本地馆藏 |

1、借阅数量：每证可借书6册，期刊2册，团体读者证可借书刊300册。 2、借阅时间：个人借期为30天，每本书可续借1次，借期为30天；团体借期为90天。 3、归还地点：3楼服务台、自助借还设备、还书箱、各分馆 4、馆际互借：读者未能在本馆获取所需文献资料，可至参考咨询阅览室服务台填写《南通市图书馆馆际互借读者申请表》，根据馆际互借协议，我馆将为读者向其他馆代借文献。馆际互借过程中所产生的费用（资料复印、邮寄费等），由读者个人承担。 5、服务电话续借：59003605 59003606 咨询：81100100 59003600

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