光电集成电路用的新型平面化技术及其在单片AlGaAs/GaAsp-i-n FET中的应用
作 者：Shuichi Miura 朱帼才
出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)
年 卷 期：1988年第1期
页 面：57-61+56页
主 题：平面化技术 衬底 基片 光致抗蚀剂 辅料 光刻胶 AlGaAs/GaAsp-i-n FET 光集成电路 光电集成电路 FET 单片
摘 要：研究了一种制作光电集成电路(OEIC)用的新型的平面化技术。详细分析了为获得完全平整的隐埋结构所需的衬底制备和离子束腐蚀的条件。这种工艺已成功地用于AlGaAs/GaAs p-i-n FET光电接收机的单片集成上。结果表明,这种平面化技术可以用来制作包括大规模集成接收机和发射机在内的OEIC。
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