单结晶体管η值的选取
作者机构：长钢四分厂中心试验室
出 版 物：《四川冶金》 (Sichuan Metallurgy)
年 卷 期：1981年第1期
页 面：85-86页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：单结晶体管 振荡器 Re 负阻 双基极二极管 电子设备 电阻 可控硅触发电路 谷点电压
摘 要：总结晶体管UJT是六十年代中期发展起来的一种具有负阻特性的新型半导体器件。用单结晶体管组成的电路结构简单,因此大量用作可控硅触发器,还常在其它无线电设备中用作定时器、振荡器、波形发生器等。由于单结晶体管参数离散性较大,如分压比η值就从0.3到0.9。这就给
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