共沉淀法制备Ce掺杂的Gd_3(Al,Ga)_5O_(12)粉体（英文）

作     者：张烨 陈先强 秦海明 罗朝华 蒋俊 江浩川 ZHANG Ye;CHEN Xian-Qiang;QIN Hai-Ming;LUO Zhao-Hua;JIANG Jun;JIANG Hao-Chuan

作者机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波315201 中国科学院大学北京100039 

出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期：2016年第31卷第10期

页      面：1151-1156页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：National Natural Science Foundation of China(51502308,51402317,11404351) Ningbo Science and Technology Innovation Team(2014B82004) 

主　　题：Gd3(Al Ga)5O12陶瓷 共沉淀 煅烧 无机闪烁体 

摘      要：通过在含有钆、镓、铝离子的硝酸混合溶液中滴加氨水,共沉淀生成Ce掺杂的Gd_3(Al,Ga)_5O_(12)(GAGG)前驱体,并采用TG/DTA对GAGG前驱体进行表征。分别在800℃、850℃、900℃、1000℃、1100℃及1200℃对GAGG前驱体进行煅烧处理,采用XRD对GAGG粉体的物相进行表征,结果显示制备出纯相的GAGG粉体。采用SEM对GAGG粉体的颗粒大小以及微观形貌进行观察。GAGG粉体的荧光谱图显示在560 nm处有一个很强的发射峰。在900℃煅烧处理的GAGG粉体所烧结的陶瓷具有最高的透明度。