Ga1-xAlxAs/GaAs双异质结激光器的液相外延研究

作     者：全宝富 杜国同 汤广平 苗盛 苗忠礼 邓希敏 Quan Baofu, Du Guotong, Tang Guangping, Miao sheng, Miao Zhongli and Deng XiMin (Department of Electronics Sciences)

作者机构：吉林大学电子科学系 

出 版 物：《吉林大学自然科学学报》 (Journal of Jilin University)

年 卷 期：1983年第4期

页      面：93-98页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：x)Al_xAs/GaAs 双异质结激光器 载流子浓度 载流子密度 Ga Al 掺杂浓度 液相外延 

摘      要：本文报导了Ga1-xAlxAs/GaAs双异质结激光器液相外延过程中,有关组份、浓度、生长速率控制的一些实验结果。主要内容是Ga1-xAlxAs层的组份、平均生长速率随溶液中Al含量的变化和杂质Te在GaAs、Ga1-xAlxAs层中的掺杂行为等。利用所得结果可方便地控制外延层的组份、厚度和掺杂浓度。