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使用低压汞灯用乙硅烷和丙硅烷光化学气相淀积氢化非晶硅薄膜

“Photochemical vapordepositon of hydrogenated amorphoussilicon films from lisilane and trisilane using a low pressure mercury lamp”

作     者:Ken Kumata Uichi ltoh Yasutake Toyoshima Naoki Tanaka Hiroyuki Anzai Akihisa Matsuda 孙建诚 

出 版 物:《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期:1988年第2期

页      面:23-25页

主  题:淀积速率 光电导 环形喷嘴 衬底温度 低压汞灯 化学气相淀积 乙硅烷 二矽烷 SIH 

摘      要:在来自低压汞灯的光直接激励下,光解乙硅烷(Si2H6)和丙硅烷(Si3H8)制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si:H).研究了与制备条件,诸如分压及衬底温度等有关的薄膜的电子学和光学特性.在300℃用Si3H8制备的薄膜的暗电导率为10-10Scm-1;在光通量为1015cm-2S-1的He-Ne激光器的照射下的亮电导率为10-5Scm-1.在压力低于20Torr的情况下,来自于装在衬底平板旁边的缝形喷嘴的硅烷气体在衬底上吹过时,获得了高光电导特性的a-Si:H薄膜.

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