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微波功率GaAs FET放大器

作     者:Hua Quen Tserng 黄松章 

出 版 物:《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期:1982年第3期

页      面:38-47页

主  题:放大器 输出功率 电子设备 GaAs FET FET 

摘      要:介绍了采用新型GaAs功率FET研制覆盖频率为6~12GHz的宽带微波放大器的方法。本文叙述了一种特殊电路布局,它不仅把边缘耦合传输线用于阻抗匹配,而且还用来作为输入和输出隔直耦合元件。文章还讨论了X波段1W22dB增益GaAsFET放大器的微带电路设计。给出了微波性能特征,例如交调、调幅与调相的变换以及噪声系数等。

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