作 者:Hua Quen Tserng 黄松章
出 版 物:《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)
年 卷 期:1982年第3期
页 面:38-47页
主 题:放大器 输出功率 电子设备 GaAs FET FET
摘 要:介绍了采用新型GaAs功率FET研制覆盖频率为6~12GHz的宽带微波放大器的方法。本文叙述了一种特殊电路布局,它不仅把边缘耦合传输线用于阻抗匹配,而且还用来作为输入和输出隔直耦合元件。文章还讨论了X波段1W22dB增益GaAsFET放大器的微带电路设计。给出了微波性能特征,例如交调、调幅与调相的变换以及噪声系数等。