腐蚀二氧化硅的新技术
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：1978年第1期
页 面：35-39页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：在一种新的干法腐蚀二氧化硅工艺中,采用了无水氟化氢。这种方法不损伤SiO2层下面的Si层,具有精度高和实用的特点。在所规定的温度范围和压力下,HF对Si、Si3N4、Al及其它常用的材料没有作用。该工艺可分二种方法:一种是透过负性光致抗蚀剂进行腐蚀的“渗透腐蚀;另一种是直接腐蚀。本文阐述了这种新技术的发展和使用。
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