SIPOS-Si界面应力研究

作     者：王云珍 潘尧令 WANG YUNZHEN;PAN YAOLING Departmemt of Electronic Science and Technology

作者机构：华东师范大学电子科学技术系 华东师范大学电子科学技术系 八七届硕士研究生 

出 版 物：《华东师范大学学报(自然科学版)》 (Journal of East China Normal University(Natural Science))

年 卷 期：1987年第4期

页      面：51-54页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：SIPOS-Si界面 应力 热处理过程 

摘      要：本文用激光光学方法测量半绝缘多晶硅(SIPOS)一硅的界面应力,以研究SIPOS-Si界面结构及界面应力的物理机理。对于氧含量在10～35%的SIPOS薄膜的SIPOS-Si界面应力,我们发现界面应力与氧含量有明显的关系,一般说随氧含量的增加而减小,并且由张应力变为压应力。此外,界面应力还与薄膜的淀积工艺有关;如:温度、淀积速率等。将样品进行高温退火,由于界面应力的热效应将使界面应力显著减少,并转变为压应力。这是高温热处理使SIPOS薄膜再结构的结果。