高压回流技术中有关两个问题的讨论
作者机构：辽宁锦西葫芦岛锌厂
出 版 物：《激光与红外》 (Laser & Infrared)
年 卷 期：1983年第7期
页 面：57-59+25页
学科分类：1002[医学-临床医学] 100201[医学-内科学(含：心血管病、血液病、呼吸系病、消化系病、内分泌与代谢病、肾病、风湿病、传染病)] 100202[医学-儿科学] 10[医学]
主 题：回流技术 单晶 熔体 饱和蒸汽 阻值 晶形 电器构件 温度控制仪 汞蒸汽 炉温 定器 压力自动控制 波动范围 正偏压 压力偏差 负偏压
摘 要：用高压回流技术生长碲镉汞单晶时由于合成、淬火和单晶生长均在同一个高压回流炉内进行,因此简化了晶体的生长工艺。另外,采用开口的石英安瓿作为料管,可消除由于高的汞汽压而引起的爆炸问题。用高压回流技术生长的碲镉汞单晶结构完整、组份均匀、尺寸大(Ф25×60mm),并能满足制作多元器件的要求。因此,高压回流技术是目前国外碲镉汞单晶研制中的一项先进技术。本文对高压回流技术中如何实现温度和压
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