二元化合物总原子溅射率和刻蚀速率的经验公式
Calculation of Total Sputtering Yield and Etching Rate on Binary Compound作者机构：中国科学院上海冶金研究所
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))
年 卷 期：1987年第4期
页 面：395-401页
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：本文给出低能离子法向轰击二元化合物时,总原子溅射率Y和刻蚀速率R;陆离子能量E变化的经验公式. 计算结果表明:若低能氩离子法向轰击二元化合物,则由经验公式算出的总原子溅射率和刻蚀速率与实验值的最大相对误差小于20％。
同方期刊数据库