30千兆赫0.25微米栅低噪声 GaAsFET
出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)
年 卷 期：1981年第3期
页 面：58-61页
主 题：噪声系数 GaAsFET 毫米波 极高频 低噪声 MESFET
摘 要：采用电子束曝光技术刻制栅电极及减小源栅寄生电阻的方法,发展了0.25μm 栅低噪声 GaAsFET。18GHz 下,噪声系数为1.9dB,相应增益为7dB(漏电流为10mA 时),最大有用增益为11dB(漏电流为30mA 时)。30GHz 下,噪声系数为4dB,相应增益为5dB,最大有用增益为8dB。测得的噪声系数是迄今所报导的最好值。本工作证明,GaAsMESFET 能够在毫米波范围工作。
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