未掺杂和掺磷SiO2玻璃膜的台阶覆盖
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：1983年第6期
页 面：33-42页
主 题：台阶覆盖 淀积条件 PSG 淀积 TEOS 玻璃膜 硅膜 掺磷
摘 要：本文研究了未掺杂和掺磷SiO2玻璃膜的台阶覆盖。简要地讨论了在决定台阶覆盖质量中起作用的各种参数。评价了各种淀积工艺的台阶覆盖能力。被比较的工艺有常压CVD,低温、低压CVD（Silox）,中温、低压CVD（TEOS）和等离子增强CVD。报导了采用中温低压技术淀积未掺杂玻璃时得到的台阶覆盖与参数的关系。证明台阶覆盖的质量强烈地依赖于淀积条件。也证明台阶覆盖质量随着TEOS流率和反应器中分子滞留时间的增加而改善。氮、氧、或磷烷/氮混合物加到TEOS中会使淀积工艺的台阶覆盖能力变差。这种中温、低压CVD工艺的台阶覆盖在650-780℃的范围内与淀积温度无关。
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