GaAs 中杂质—空位对在生长无位错单晶中的作用
作者机构：中国科学院上海冶金研究所
出 版 物：《人工晶体》 (Journal of Synthetic Crystals)
年 卷 期：1982年第Z1期
页 面：101-102页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：掺杂效应 单晶 晶形 掺杂剂 载流子浓度 载流子密度 GaAs 位错 晶体缺陷
摘 要：本文根据 Swaminathn 等提出的在掺 Si 的 GaAs 晶体中,静态的 SisaVGi络合物与运动位错的交互作用,能增强晶体的屈服应力的论点,在分析了生长无位错掺 Si 单晶的基础上,进而从杂质及其与点缺陷的相互作用,对各类掺杂剂的“掺杂效应进行讨论。研究结果表明,“掺杂效应因掺杂剂而异。n 型掺杂效果显著,等电子杂质有一定作用,而 p 型掺杂效果较差,其顺序大致可归纳成三类:（Si,S）（Se,Te,Al,N）（Zn）。对“掺杂效应的一些解释（如单键能模型,弹性失配模型等）作了简要的评述。这些模型的不足
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