深紫外正性抗蚀剂聚甲基异丙烯基酮的增敏与改性
Speed Enhacement and Modification of Poly(methyl Isopropenyl ketone) Positive Resists for Deep-UV Lithography作者机构：成都科技大学高分子材料科学系
出 版 物：《成都科技大学学报》
年 卷 期：1982年第2期
页 面：55-60页
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：GMA 分子量分布 增敏 抗蚀剂 深紫外 沉淀聚合 聚合方法 溶液聚合 本体聚合 整体聚合 改性
摘 要：近年来为制造超大规模集成电路(VLSI)需要获得超细线条。人们对电子束和X-射线复印技术进行了大量的研究和开发工作,但由于技术复杂和设备昂贵还难以进入实用阶段。虽然电子束曝光方法已能制备1 u或亚微米细线图形的掩模,但是把这种技术用于大生产中复印器件图形是很不经济的。因而人们把注意力移向深紫外复印技术上。有关这种技术的特点和优点已在许多文章中报导过
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