双频带低噪声放大器设计
Design of a Dual-Band Low Noise Amplifier作者机构:北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124
出 版 物:《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)
年 卷 期:2011年第34卷第3期
页 面:278-281页
学科分类:080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学]
基 金:国家自然科学基金(60376033 60776051 61006044 61006059) 北京市自然基金(4082007)
摘 要:基于Jazz 0.35μm S iGe工艺,设计了一款能够在1.8 GHz和2.4 GHz不同频段带独立工作的低噪声放大器。放大器使用噪声性能优良的S iGe HBT,采用Cascode结构减少米勒效应的影响。输入电路采用由两次连续的频率变换和电路转换得到的双频滤波电路,输出端用射随器实现50Ω阻抗匹配。结果表明,该低噪声放大器在1.8 GHz和2.4 GHz两个工作频点,S21分别达到30.3 dB和28.3 dB,S22分别为-19 dB和-20 dB,噪声分别为3.42 dB和3.45 dB。