用于未来LSI的自对准多晶硅电极工艺
出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)
年 卷 期：1988年第8期
页 面：19-20页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：双极晶体管 多晶硅 自对准 NMOS LSI 发射极
摘 要：为了实现更高性能的LSI,最近提出了自对准多晶硅电极工艺(SPEL).这种工艺采用优先干法刻蚀重掺杂多晶硅,使MOS和双极晶体管的接触区面积比常规工艺减少一半.而且晶体管的寄生电容和电阻也减小.
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