暗电流低和电容小的快速GaInAsP P-p-I-N光电二极管
出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)
年 卷 期：1983年第3期
页 面：48-51页
主 题：光电二极管 响应时间 GaInAsP P-p-I-N 暗电流 电容
摘 要：用与InP匹配的GaInAsP(λ;（?）1.33μm)制作了一种所谓P-p-I-N结构的新型光电二极管。在-20V偏压下,在InP中2μm厚的I区完全耗尽。在这个偏压下,对面积为0.8×10;cm;的二极管,电容小于0.5pF,暗电流小于10pA,内量子效率接近100％和响应时间小于200ps。对面积为1.5×10;cm;的二极管,在-20V下测得暗电流为3.5pA。相应的电流密度(J;2.5×10;A/cm;)是目前报导的用GaInAsP合金所作器件的最小值。
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