咨询与建议
  • 全部检索
  • 电子图书
  • 电子期刊
  • 纸本馆藏
  • 南通市公共图书馆
高级检索

看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >10微瓦维持功耗的256k CMOS SRAM 收藏
分享

10微瓦维持功耗的256k CMOS SRAM

作     者：Yasuo Kobayashi ,Hirotsugu Eguchi ,涂继芸 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：1985年第Z1期

页      面：204-206页

主　　题：芯片尺寸 多晶硅 显微照片 SRAM 负载电阻 硅化物 CMOS SRAM 功耗 

摘      要：每年,手提式小型计算机及其它携带式的装置已经用越来越大的存贮容量来装配。这种用电池供电的装置要求每位有低的维持功耗,及低成本和小的芯片尺寸。本文将给出一种32k×8位的CMOS静态RAM,其芯片尺寸为5.09mm×8.00mm（40.7mm2）,

电子资源

读者评论 与其他读者分享你的观点

学校读者
用户名:未登录
我的评分