在化学汽相淀积反应中气相的实验研究——用硅烷-氨反应来淀积氮化硅
出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)
年 卷 期：1979年第3期
页 面：77-83页
主 题：化学汽相淀积 化学气相沉积 衬底 基片 氮化硅 四氮化三硅 氮化物 硅烷 有机硅化合物 温度分布 温度场 分布(力学) 气相
摘 要：应用焰锋结构研究引伸的一种方法及对浓度和温度分布的逐点分析进行了化学汽相淀积(CVD)系统中气相组分的研究。用一个精细的喷咀形探头从气相里抽取稳定物质的样品。随后把它们压缩到一个蒸汽压曲线(VPC)分析器中。用一个精细的二氧化硅涂复的温差电偶读取温度分布。这个方法适用于在不同的硅烷与氨的比值情况下同时热解硅烷和氨而在950℃、1000℃、1050℃加热的透明的烧结的二氧化硅衬底上形成氮化硅。获得的结果局限于气相的空间,并且与衬底相关。在该空间中,当初始反应物被消耗时固相开始凝聚。这个方法是可重复的和可靠的。如果适当的发展,在解释化学汽相淀积空气热化学和化学动力学方面,它将导致有意义的应用。
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