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限制可控硅通断电流上升率的动态扼流线圈

作     者:V.Rybá S.Vohralik 张裕庆 

出 版 物:《电工技术》 (Electric Engineering)

年 卷 期:1985年第12期

页      面:37-38页

主  题:扼流线圈 电流上升率 铁芯 电器构件 通断 限制 

摘      要:前言在可控硅通断时,尤其是在电阻负载的场合下,应注意使电流上升率不超过所用大功率半导体元件的di/dt最大电流上升率。在电阻负载R通断的最不利场合下,应利用电感L来调整容许的电流上升率,如图1所示,电感与可控硅Ty串联。

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