三元合金红外探测器的辐射试验

作     者：昭华 

出 版 物：《激光与红外》 (Laser & Infrared)

年 卷 期：1981年第2期

页      面：18-25+50页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0803[工学-光学工程] 

主　　题：探测器阵列 衬底 器件 基片 IR 探测器 实验设备 红外探测器 PbTe 伽马 三元合金 辐射试验 扩散长度 反向击穿 电子辐照 

摘      要：代表当前技术的长波红外PbSnTe和短波红外HgCdTe光伏探测器阵列在稳态伽马通量、全剂量、电子通量、光子通量和脉冲电离环境中进行了辐射试验。这两类探测器对稳态伽马通量的瞬态响应都导致三种相互有关的结果,即产生单个脉冲,增加漏电流和增加方均根噪声。决定器件响应的基本上是结区的扩散长度。因此在PbTe衬底(它具有大的,约100微米的扩散长度)上的PbSnTe器件有比较大的响应。两类探测器的永久减退是受表面、界面或绝缘材料效应的控制。在HgCdTe探测器中,该机理表现为在探测器台面区附近的衬底表面反型。两类探测器的测量结果是漏电流增加和零偏压电阻降低。此外,由于器件有效面积增加,HgCdTe探测器的光学响应增加,以及PbSnTe器件的反向击穿电压降低。看来最能造成表面效应损伤的是对同时引起电离和位移作用的环境暴露。异质结PbSnTe探测器对脉冲电离的瞬态响应,其电流较同质结的计算饱和电流(它由开路电压和负载电阻调节)为大。与此同时,在PbTe衬底上的器件响应比根据器件体积计算的小(假设没有饱和)。也许这是异质结和PbTe材料的物理过程相结合而产生了这种结果。