关于Cu、Ag、Au在Si和Ge表面的吸附
Chemisorption of Cu, Ag, Au on Si and Ge Surfaces作者机构：复旦大学现代物理研究所
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))
年 卷 期：1984年第6期
页 面：653-660页
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：本文利用集团模型和电荷自治的休克尔方法研究Cu,Ag,Au在Si(111)和Ge(111)面上可能的吸附位置和电子态,得到这些重金属原子只能吸附在三度开位上,并进入表面以下的结果,与实验观察(LEED,UPS,ISS)的结果一致.文章还计算了吸附体系的电子结构,所得到的态密度与已知的实验数据符合较好.
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