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K和Ka波段GaAs功率FET

作     者：T.Noguchi 张俊杰 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：1982年第6期

页      面：69-72页

主　　题：FET GaAs Ka 波段 

摘      要：为了改进K波段以上大功率FET的性能应用了深凹槽沟道结构。内匹配的器件已经展示了在18GHz下输出功率2W,功率附加效率16％,和在29.5GHz以下3dB的相关增益获得165mW的功率。

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