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掺杂剂材料中超微量金属分析技术

作者：H.J.Graf,W.L.Reynolds,薛忠杰

作者机构：美国J.C.Schumacher公司美国J.C.Schumacher公司

出版物：《微电子学》 (Microelectronics)

年卷期：1985年第6期

页面：81-89页

主　　题：掺杂剂 ICP AES GFAAS 质谱测定法质谱法测量方法光谱测定法原子发射光谱超声波喷雾器金属分析

摘要：超纯化学掺杂剂在半导体器件制造中举足轻重,超微量杂质含量在10-10到10-12g范围的掺杂剂材料的每种样品,也需要用现代最新分析技术加以探测。本文将对石墨炉原子吸光谱测定法、感应耦合等离子体/原子发射光谱测定法和ICP/质谱测定法这类技术加以评论

本地馆藏 |

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