快速退火晶格恢复中瞬态增强扩散模型

作     者：张通和 李国辉 吴瑜光 Zhang Tonghe Li Guohui Wu Yuguang (Institute of Low Energy Nuclear Physics, Beijing Normal University)

作者机构：北京师范大学低能核物理研究所 

出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)

年 卷 期：1988年第10期

页      面：44-48页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金 

主　　题：增强扩散模型 As离子注入 快速退火 晶格恢复 

摘      要：本文研究了瞬态退火As注入Si的瞬态增强扩散模型。观察了增强扩散与剩余缺陷和晶格恢复之间的关系。用背散射技术测量了As浓度分布,用透射电镜观察了注入层剩余缺陷。发现在1150℃(或1050℃)退火1S晶格结构基本上恢复。在1—12s期间,缺陷密度随退火时间的增加而急剧下降。增强扩散系数在1—5s退火期间最大。在退火温度为1150℃时,退火时间在12—20s之间,注入层损伤几乎完全恢复,在此退火期间增强扩散系数比前述退火过程中的低。最后讨论了退火中晶格恢复和增强扩散机理。