硅(111)面2×1重构表面和硅(100)面的电子态密度的模型计算
Electronic States of a 2×1 Reconstructed Si（111） Surface and of an Ideal Si（100） Surface
作 者：傅卓式
作者机构：复旦大学物理系
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))
年 卷 期：1982年第4期
页 面：259-269页
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：电子态密度 模型计算 计算结果 布里渊区 能带结构 重构表面 格林函数 GREEN函数
摘 要：本文采用一种简单的模型,应用传递矩阵的格林函数方法,计算了Si(111)2×1重构表面以及Si(100)面的电子态密度.计算结果表明,在合理地作出一些假定后,本文和其它比较繁复的计算方法所得到的结果,在定性上是符合的.
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