常压MOCVD法生长ZnSe/ZnSxSe1-X应变层超晶格
Growth of ZnSe/ZnSxSe1-xSLS by MOCVD at Atmospheric Pressure作者机构：中国科学院长春物理研究所
出 版 物：《人工晶体》 (Journal of Synthetic Crystals)
年 卷 期：1988年第Z1期
页 面：302-302页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：MOCVD 应变层超晶格 ZnSe/ZnS_xSe
摘 要：超晶格结构是近年来半导体学科的最重大的进展,也为晶体生长学科提出了新的研究领域和课题。MOCVD 法和 MBE 法是制备超晶格的最有力的手段。由于超晶格的激子效应,禁带宽、激子束缚能高的 ZnSe 系超晶格结构为实现兰色受激发射器件和可见短波长激子型光学双稳器件提供了有希望的途径。
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